quarta-feira, 12 de dezembro de 2012

Adrenaline: IBM promete revolucionar a comunicação de dados com nanofotônicos de silício



A IBM surpreendeu o mercado e a academia, ao revelar que seus pesquisadores desenvolveram uma tecnologia inovadora que promete revolucionar toda a indústria do silício.

Chamada de “nanofotônicos de silício”, a tecnologia permite a integração de diferentes componentes ópticos lado a lado com circuitos elétricos, em um único chip de silício, com litografia abaixo dos 100nm. Com isso, é possível utiliza luz ao invés de sinais elétricos.

Os “nanofotônicos de silício” têm a vantagem de emitir pulsos de luz para a comunicação, oferecendo um super canal para grandes volumes de dados que se movem em altas velocidades nos chips em servidores, data centers de grande porte, e supercomputadores, aliviando assim as limitações dos tráfego de dados congestionados, e do alto custo das interconexões tradicionais.

A nova tecnologia da IBM será capaz de oferecer uma solução aos desafios da chamada “Big Data” (era de computação que requer sistemas para processar e analisar, em tempo real, de grandes volumes de informações) através da conexão contínua com várias partes de sistemas de grandes dimensões, não importando se tais partes estão a poucos centímetros ou alguns quilômetros de distância entre si, sendo capaz de mover terabytes de dados por meio de impulsos de luz por meio de fibras ópticas.

Os transceptores dos “nanofotônicos de silício” demonstraram ser capazes de exceder a taxa de dados de 25Gbps por canal. Além disso, a tecnologia é capaz de alimentar uma série de fluxos paralelos de dados ópticos em uma única fibra através da utilização de dispositivos de multiplexação de divisão de comprimento de onda embarcados no chip. A capacidade de multiplexar grandes fluxos de dados em altas taxas de dados irá permitir o dimensionamento futuro das comunicações ópticas capazes de fornecer terabytes de dados entre partes distantes de sistemas de computador.

Mais detalhes serão apresentados esta semana pelo Dr. Solomon Assefa durante o Encontro Internacional de Dispositivos de Elétrons (IEDM) do IEEE.

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